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Samsung M3 78T6553CZ3-CD5 512MB
Micron Technology 16G2666CL19 16GB
Compara
Samsung M3 78T6553CZ3-CD5 512MB vs Micron Technology 16G2666CL19 16GB
Puntuación global
Samsung M3 78T6553CZ3-CD5 512MB
Puntuación global
Micron Technology 16G2666CL19 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M3 78T6553CZ3-CD5 512MB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
3
15.4
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Micron Technology 16G2666CL19 16GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
24
56
En -133% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
8.2
1,501.2
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
4200
En 5.07 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M3 78T6553CZ3-CD5 512MB
Micron Technology 16G2666CL19 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
56
24
Velocidad de lectura, GB/s
3,161.0
15.4
Velocidad de escritura, GB/s
1,501.2
8.2
Ancho de banda de la memoria, mbps
4200
21300
Other
Descripción
PC2-4200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
4-4-4-12 / 533 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
381
2438
Samsung M3 78T6553CZ3-CD5 512MB Comparaciones de la memoria RAM
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Micron Technology 16G2666CL19 16GB Comparaciones de la memoria RAM
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZ 8GB
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