RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T6553CZ3-CD5 512MB
Micron Technology 16G2666CL19 16GB
Porównaj
Samsung M3 78T6553CZ3-CD5 512MB vs Micron Technology 16G2666CL19 16GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T6553CZ3-CD5 512MB
Wynik ogólny
Micron Technology 16G2666CL19 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T6553CZ3-CD5 512MB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
15.4
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Micron Technology 16G2666CL19 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
56
Wokół strony -133% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.2
1,501.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
4200
Wokół strony 5.07 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T6553CZ3-CD5 512MB
Micron Technology 16G2666CL19 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
56
24
Prędkość odczytu, GB/s
3,161.0
15.4
Prędkość zapisu, GB/s
1,501.2
8.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
4200
21300
Other
Opis
PC2-4200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
4-4-4-12 / 533 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
381
2438
Samsung M3 78T6553CZ3-CD5 512MB Porównanie pamięci RAM
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Corsair CM4X4GF2400C14K4 4GB
Micron Technology 16G2666CL19 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
V-GEN D4R8GL24A8R 8GB
Kingston 99U5403-124.A00LF 8GB
Smart Modular SF4641G8CK8IEHLSBG 8GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BDAS 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Avant Technology J642GU42J7240N2 16GB
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
Ramaxel Technology RMSA3310ME96HAF-3200 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Corsair CMWX16GC3600C18W2D 16GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Kingston ACR26D4S9S8KA-8 8GB
Samsung M378B1G73EB0-CK0 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FBD 16GB
Crucial Technology CT51264BF160B.M16F 4GB
Shenzhen Technology Co Ltd 8GB
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
Kingston KHX3333C16D4/16GX 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
G Skill Intl F4-3300C16-4GRKD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Crucial Technology CT8G4SFD824A.M16FB 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Samsung M471A1G43EB1-CPB 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link