RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-2800C14-16GTZ 16GB
Compara
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs G Skill Intl F4-2800C14-16GTZ 16GB
Puntuación global
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-2800C14-16GTZ 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
3
13.8
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
2,622.0
10.2
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-2800C14-16GTZ 16GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
38
77
En -103% menor latencia
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
5300
En 3.21 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-2800C14-16GTZ 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
77
38
Velocidad de lectura, GB/s
3,405.2
13.8
Velocidad de escritura, GB/s
2,622.0
10.2
Ancho de banda de la memoria, mbps
5300
17000
Other
Descripción
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
763
2841
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Comparaciones de la memoria RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
G Skill Intl F4-2800C14-16GTZ 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
A-DATA Technology AM1L16BC2P1-B1FS 2GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-2800C14-16GTZ 16GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Mushkin 99[2/7/4]205[F/T] 8GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Wilk Elektronik S.A. GY2400D464L15S/8G 8GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Corsair CMD32GX4M4B3466C16 8GB
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
Hoodisk Electronics Co Ltd MD401GNSE-CB3M2 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Mushkin 99[2/7/4]200[F/T] 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZA 8GB
Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB
Kingston KHX2400C15S4/8G 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Corsair CMR64GX4M4C3466C16 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
G Skill Intl F4-4000C19-8GTZSW 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Corsair CMK8GX4M2C3000C16 4GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZ 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G26662 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link