RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-2800C14-16GTZ 16GB
Porównaj
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs G Skill Intl F4-2800C14-16GTZ 16GB
Wynik ogólny
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-2800C14-16GTZ 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
13.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,622.0
10.2
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-2800C14-16GTZ 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
38
77
Wokół strony -103% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
5300
Wokół strony 3.21 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-2800C14-16GTZ 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
77
38
Prędkość odczytu, GB/s
3,405.2
13.8
Prędkość zapisu, GB/s
2,622.0
10.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
17000
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
763
2841
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
G Skill Intl F4-2800C14-16GTZ 16GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
SK Hynix HMA41GU7AFR8N-TF 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Corsair CM4B16G1J2400A16K2-O 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZR 8GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FDD 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
A-DATA Technology AO1P24HC8T1-BSFS 8GB
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSTK.8FD 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FB 16GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2J1 4GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
G Skill Intl F4-3466C16-8GVR 8GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZSK 16GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Corsair CMK32GX4M2D3200C16 16GB
Kingston 9905471-071.A00LF 8GB
A-DATA Technology AO1P24HC8T1-BSFS 8GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Corsair CM4X8GF2666C18S2 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link