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Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
SK Hynix HMA425S6BJR6N-UH 2GB
Compara
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs SK Hynix HMA425S6BJR6N-UH 2GB
Puntuación global
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Puntuación global
SK Hynix HMA425S6BJR6N-UH 2GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
77
101
En 24% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
3
14.2
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
SK Hynix HMA425S6BJR6N-UH 2GB
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Mayor velocidad de escritura, GB/s
7.0
2,622.0
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
5300
En 3.62 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
SK Hynix HMA425S6BJR6N-UH 2GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
77
101
Velocidad de lectura, GB/s
3,405.2
14.2
Velocidad de escritura, GB/s
2,622.0
7.0
Ancho de banda de la memoria, mbps
5300
19200
Other
Descripción
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
763
1313
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Comparaciones de la memoria RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
SK Hynix HMA425S6BJR6N-UH 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905598-025.A00G 8GB
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A-DATA Technology AO1P24HC4R1-BSIS 4GB
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Kingston HP26D4S9S1ME-4 4GB
Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd RA24D408GX2-4400C19A 8GB
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Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKW 16GB
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