RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
SK Hynix HMA425S6BJR6N-UH 2GB
Porównaj
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs SK Hynix HMA425S6BJR6N-UH 2GB
Wynik ogólny
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Wynik ogólny
SK Hynix HMA425S6BJR6N-UH 2GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
77
101
Wokół strony 24% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
14.2
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
SK Hynix HMA425S6BJR6N-UH 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
7.0
2,622.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
5300
Wokół strony 3.62 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
SK Hynix HMA425S6BJR6N-UH 2GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
77
101
Prędkość odczytu, GB/s
3,405.2
14.2
Prędkość zapisu, GB/s
2,622.0
7.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
19200
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
763
1313
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
SK Hynix HMA425S6BJR6N-UH 2GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Samsung M474A4G43MB1-CTD 32GB
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
Kingston ACR24D4S7S1MB-4 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Samsung M378A4G43AB2-CWE 32GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Kingston 9905598-025.A00G 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905678-065.A00G 8GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
Hewlett-Packard 7EH74AA#ABC 8GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FD 16GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Crucial Technology BL32G32C16U4B.M16FB1 32GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Kingston 9905624-014.A00G 4GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTRS 16GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Apacer Technology GD2.1527WE.001 8GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Corsair CMR32GX4M4C3466C16 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G26662 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link