Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0832160B 8GB

Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB vs Chun Well Technology Holding Limited D4U0832160B 8GB

Puntuación global
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Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB

Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB

Puntuación global
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Chun Well Technology Holding Limited D4U0832160B 8GB

Chun Well Technology Holding Limited D4U0832160B 8GB

Diferencias

  • Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
    32 left arrow 36
    En -13% menor latencia
  • Mayor velocidad de lectura, GB/s
    20.5 left arrow 15
    Valor medio en las pruebas
  • Mayor velocidad de escritura, GB/s
    14.5 left arrow 10.3
    Valor medio en las pruebas
  • Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
    21300 left arrow 17000
    En 1.25 mayor ancho de banda

Especificaciones

Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0832160B 8GB
Principales características
  • Tipo de memoria
    DDR4 left arrow DDR4
  • Latencia en PassMark, ns
    36 left arrow 32
  • Velocidad de lectura, GB/s
    15.0 left arrow 20.5
  • Velocidad de escritura, GB/s
    10.3 left arrow 14.5
  • Ancho de banda de la memoria, mbps
    17000 left arrow 21300
Other
  • Descripción
    PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 left arrow PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
  • Tiempos / Velocidad del reloj
    14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz left arrow 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
  • Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
    2569 left arrow 3379
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

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