RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0832160B 8GB
Porównaj
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB vs Chun Well Technology Holding Limited D4U0832160B 8GB
Wynik ogólny
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Wynik ogólny
Chun Well Technology Holding Limited D4U0832160B 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Chun Well Technology Holding Limited D4U0832160B 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
32
36
Wokół strony -13% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
20.5
15
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.5
10.3
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
17000
Wokół strony 1.25 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0832160B 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
36
32
Prędkość odczytu, GB/s
15.0
20.5
Prędkość zapisu, GB/s
10.3
14.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
17000
21300
Other
Opis
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2569
3379
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0832160B 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GVRB 4GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0832160B 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Essencore Limited KD48GU880-32A160X 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Kingston 9905712-048.A00G 16GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GIS 16GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Corsair CMW128GX4M4E3200C16 32GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Corsair CMK16GX4M4B3200C15 4GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-4800C18-8GTRS 8GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKW 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Micron Technology 36ADS2G72PZ-2G1A1 16GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSCK.8FBD 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Panram International Corporation PUD42133C158G2VS 8GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Samsung M386A4G40DM1-CRC 32GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link