RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Crucial Technology BL16G36C16U4R.M16FE1 16GB
Compara
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB vs Crucial Technology BL16G36C16U4R.M16FE1 16GB
Puntuación global
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Puntuación global
Crucial Technology BL16G36C16U4R.M16FE1 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Informar de un error
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
25600
21300
En 1.2% mayor ancho de banda
Razones a tener en cuenta
Crucial Technology BL16G36C16U4R.M16FE1 16GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
26
33
En -27% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
17.7
17.6
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
14.9
12.0
Valor medio en las pruebas
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Crucial Technology BL16G36C16U4R.M16FE1 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR4
DDR4
Latencia en PassMark, ns
33
26
Velocidad de lectura, GB/s
17.6
17.7
Velocidad de escritura, GB/s
12.0
14.9
Ancho de banda de la memoria, mbps
25600
21300
Other
Descripción
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2910
3692
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
Crucial Technology BL16G36C16U4R.M16FE1 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Crucial Technology BL16G36C16U4R.M16FE1 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kllisre 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
G Skill Intl F4-3600C14-16GVKA 16GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Kingston 9965662-012.A01G 16GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
SK Hynix HMA451U7AFR8N-TF 4GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GRS 8GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Kingston MSI26D4S9D8ME-16 16GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.M16FB 16GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GSXWB 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingston ACR32D4U2S8HD-8X 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Kingston 9965600-005.A01G 16GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Apacer Technology GD2.1527WE.001 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
G Skill Intl F4-2800C16-8GRK 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FBR 16GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link