RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Galaxy Microsystems Ltd. GALAX GOC 2016 8GB
Compara
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB vs Galaxy Microsystems Ltd. GALAX GOC 2016 8GB
Puntuación global
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Puntuación global
Galaxy Microsystems Ltd. GALAX GOC 2016 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Informar de un error
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
25600
17000
En 1.51% mayor ancho de banda
Razones a tener en cuenta
Galaxy Microsystems Ltd. GALAX GOC 2016 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
14
33
En -136% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
26.4
17.6
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
19.8
12.0
Valor medio en las pruebas
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Galaxy Microsystems Ltd. GALAX GOC 2016 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR4
DDR4
Latencia en PassMark, ns
33
14
Velocidad de lectura, GB/s
17.6
26.4
Velocidad de escritura, GB/s
12.0
19.8
Ancho de banda de la memoria, mbps
25600
17000
Other
Descripción
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2910
4362
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
Galaxy Microsystems Ltd. GALAX GOC 2016 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Galaxy Microsystems Ltd. GALAX GOC 2016 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Samsung M378A4G43MB1-CTD 32GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GTZR 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Crucial Technology CT8G4DFRA266.M4FE 8GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Avant Technology J642GU42J5213NF 16GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Corsair CMWX16GC3200C16W4 16GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
V-GEN D4H8GL36A8TXV 8GB
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
Crucial Technology BLS8G4D30BESBK.8FD 8GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
G Skill Intl F4-4000C15-8GVK 8GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Corsair CMT32GX4M2Z3600C18 16GB
Corsair CM3X8GA1600C10V2 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GTZ 4GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
G Skill Intl F4-4000C19-4GTZ 4GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link