RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G32002 16GB
Compara
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB vs Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G32002 16GB
Puntuación global
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Puntuación global
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G32002 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G32002 16GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
34
36
En -6% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
18
15.8
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
14.3
11.8
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
25600
21300
En 1.2 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G32002 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR4
DDR4
Latencia en PassMark, ns
36
34
Velocidad de lectura, GB/s
15.8
18.0
Velocidad de escritura, GB/s
11.8
14.3
Ancho de banda de la memoria, mbps
21300
25600
Other
Descripción
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Tiempos / Velocidad del reloj
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2497
3448
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G32002 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G32002 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Mushkin 99[2/7/4]190F 4GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Avant Technology W641GU67J5213N8 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Samsung M378A2K43BB1-CRC 16GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Micron Technology 16A6A2G64HZ-2-2E1 16GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GSXFB 8GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FB 16GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Kingston 9905701-017.A00G 16GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Corsair CMK128GX4M4A2400C16 32GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4RL.M16FE 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Corsair CMK16GX4M2B3600C18 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GRK 8GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Mushkin MRX4U300GJJM16G 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-32GVK 32GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link