RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G32002 16GB
Porównaj
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB vs Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G32002 16GB
Wynik ogólny
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Wynik ogólny
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G32002 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G32002 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
34
36
Wokół strony -6% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
18
15.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.3
11.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
21300
Wokół strony 1.2 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G32002 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
36
34
Prędkość odczytu, GB/s
15.8
18.0
Prędkość zapisu, GB/s
11.8
14.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
21300
25600
Other
Opis
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Taktowanie / szybkość zegara
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2497
3448
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G32002 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
G Skill Intl F4-2666C15-4GVK 4GB
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
Corsair CMK64GX4M4K3733C17 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Samsung M378A2K43DB1-CVF 16GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FHP 4GB
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB
A-DATA Technology AO1P26KCST2-BWWS 16GB
SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB
AMD R9S48G3206U2S 8GB
Kingston 99U5584-010.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZKW 16GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZSK 16GB
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXF 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48HA-24RF 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Corsair CMW32GX4M2C3466C16 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-2666C16-4GRB 4GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Kingston XF875V-MIH 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Kingston ACR26D4S9D8ME-16 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link