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Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GIS 8GB
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Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB vs G Skill Intl F4-2400C15-8GIS 8GB
Puntuación global
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-2400C15-8GIS 8GB
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Especificaciones
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Razones a tener en cuenta
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
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Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-2400C15-8GIS 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
33
37
En -12% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
15.6
13.2
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
11.1
8.4
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
10600
En 1.6 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GIS 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
37
33
Velocidad de lectura, GB/s
13.2
15.6
Velocidad de escritura, GB/s
8.4
11.1
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
17000
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2143
2823
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB Comparaciones de la memoria RAM
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
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Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-3200D 16GB
SK Hynix HMT451U7BFR8C-RD 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GSX 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GVS 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Kingston 9905678-110.A00G 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD832A.M16FJ 16GB
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