RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GIS 8GB
Porównaj
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB vs G Skill Intl F4-2400C15-8GIS 8GB
Wynik ogólny
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-2400C15-8GIS 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-2400C15-8GIS 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
33
37
Wokół strony -12% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.6
13.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.1
8.4
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GIS 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
37
33
Prędkość odczytu, GB/s
13.2
15.6
Prędkość zapisu, GB/s
8.4
11.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2143
2823
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB Porównanie pamięci RAM
Ramaxel Technology RMR1870EC58E9F1333 4GB
Golden Empire CL15-15-15 D4-2133 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GIS 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240081 4GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C8FB 16GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Kingston 9965589-017.D00G 8GB
Kingston KN2M64-ETB 8GB
Corsair CMSX8GX4M1A2400C16 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Kingston MSI24D4S7D8MH-16 16GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-20-20 D4-3000
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
A-DATA Technology AO1P24HC4R1-BUYS 4GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
AMD R748G2606U2S 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C8FE 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G266681 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GR26C16S8K1HU408 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6EFR8A
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-UH 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
G Skill Intl F4-3200C22-8GRS 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link