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Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
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Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB vs Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
Puntuación global
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Puntuación global
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
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Razones a tener en cuenta
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
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Razones a tener en cuenta
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
23
37
En -61% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
17
13.2
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
13.4
8.4
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
25600
10600
En 2.42 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
37
23
Velocidad de lectura, GB/s
13.2
17.0
Velocidad de escritura, GB/s
8.4
13.4
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
25600
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2143
2936
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9965516-430.A00G 16GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2B2 32GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FHP 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT325U6BFR8C
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW2 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1 8GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Kingston 9965662-010.A00G 16GB
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