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Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GFX 8GB
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Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB vs G Skill Intl F4-3200C16-8GFX 8GB
Puntuación global
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-3200C16-8GFX 8GB
Diferencias
Especificaciones
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Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
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Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-3200C16-8GFX 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
29
41
En -41% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
18.5
13.3
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
14.1
8.3
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
10600
En 1.81 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GFX 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
41
29
Velocidad de lectura, GB/s
13.3
18.5
Velocidad de escritura, GB/s
8.3
14.1
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
19200
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 11 13 15 17
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2176
3434
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB Comparaciones de la memoria RAM
G Skill Intl F3-14900CL9-4GBXL 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C20 Series 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GFX 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Kingston 9905625-152.A00G 16GB
Super Talent STT-WB160CL0901 2GB
Panram International Corporation W4U2133PS-8G 8GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Corsair CMW16GX4M2C3600C18 8GB
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