RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GFX 8GB
Confronto
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB vs G Skill Intl F4-3200C16-8GFX 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F4-3200C16-8GFX 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Segnala un bug
Motivi da considerare
G Skill Intl F4-3200C16-8GFX 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
29
41
Intorno -41% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
18.5
13.3
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
14.1
8.3
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
10600
Intorno 1.81 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GFX 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
41
29
Velocità di lettura, GB/s
13.3
18.5
Velocità di scrittura, GB/s
8.3
14.1
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
19200
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 11 13 15 17
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2176
3434
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB Confronto tra le RAM
G Skill Intl F3-14900CL9-4GBXL 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C20 Series 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GFX 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GFX 8GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
G Skill Intl F4-2400C16-8GFX 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
AMD R748G2133U2S 8GB
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
Samsung M391A2K43BB1-CTD 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A
Samsung M471A5244CB0-CRC 4GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Essencore Limited KD4AGU880-36A180C 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GVR 16GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Corsair CMW32GX4M2C3466C16 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Corsair CMW64GX4M8C3200C16 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Kingston 9905734-022.A00G 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-4600C18-8GTRS 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Samsung M378A4G43MB1-CTD 32GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FJ 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
UMAX Technology D4-3200-16G-1024X8-L 16GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link