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Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1AY 4GB
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Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB vs Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1AY 4GB
Puntuación global
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Puntuación global
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1AY 4GB
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Especificaciones
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Razones a tener en cuenta
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
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Razones a tener en cuenta
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1AY 4GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
28
39
En -39% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
13.8
11.7
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
8.7
7.2
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
10600
En 1.6 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1AY 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
39
28
Velocidad de lectura, GB/s
11.7
13.8
Velocidad de escritura, GB/s
7.2
8.7
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
17000
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1749
2443
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1AY 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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