RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GFT 8GB
Compara
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB vs G Skill Intl F4-2400C17-8GFT 8GB
Puntuación global
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-2400C17-8GFT 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
56
73
En 23% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
4
15
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-2400C17-8GFT 8GB
Informar de un error
Mayor velocidad de escritura, GB/s
7.5
1,813.5
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
6400
En 3 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GFT 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
56
73
Velocidad de lectura, GB/s
4,387.7
15.0
Velocidad de escritura, GB/s
1,813.5
7.5
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
19200
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 11 13 15 17
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
693
1838
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
TwinMOS 8D7T5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GFT 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMD16GX4M4A2800C16 4GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GVRD 16GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GRR 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Crucial Technology CT32G4SFD832A.M16FF 32GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-3600C18A 8GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4LF8GB528528266
Kingston KVR533D2N4 512MB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZKW 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U4G26SC-26V 4GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
G Skill Intl F4-4000C15-8GTRS 8GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Super Talent F21UB8GS 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Crucial Technology BLS8G4S26BFSD.16FBR2 8GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6AFR8N
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Corsair CMH32GX4M2E3200C16 16GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link