RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GFT 8GB
Porównaj
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB vs G Skill Intl F4-2400C17-8GFT 8GB
Wynik ogólny
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-2400C17-8GFT 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
56
73
Wokół strony 23% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
15
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-2400C17-8GFT 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
7.5
1,813.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
6400
Wokół strony 3 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GFT 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
56
73
Prędkość odczytu, GB/s
4,387.7
15.0
Prędkość zapisu, GB/s
1,813.5
7.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
19200
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 11 13 15 17
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
693
1838
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
TwinMOS 8D7T5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GFT 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-32GTRG 32GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133S464L15/16G 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GTRS 16GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GFT 8GB
AMD AE34G2139U2 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVR 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.M8FBD 4GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
MDT Technologies GmbH MDT 512M DDR2-66 512MB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FBD2 4GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17161C 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTRS 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FADP 8GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.M16FB 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Samsung M378A1G43TB1-CTD 8GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Transcend Information TS2GLH64V6B 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link