RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZSW 16GB
Compara
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB vs G Skill Intl F4-3200C14-16GTZSW 16GB
Puntuación global
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZSW 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZSW 16GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
20.6
12.8
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
16.7
9.0
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
10600
En 1.6 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZSW 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
26
26
Velocidad de lectura, GB/s
12.8
20.6
Velocidad de escritura, GB/s
9.0
16.7
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
17000
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2143
4084
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Micron Technology 9JSF25672AZ-1G6M1 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZSW 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GVK 8GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FE 8GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Kingston ACR26D4U9D8MH-16 16GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-XN 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GVR 4GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Apacer Technology 78.CAGP7.AZC0B 8GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
SK Hynix HMA82GU6AFR8N-TF 16GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
Kingston KHX2666C16S4/32G 32GB
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
Kingston HX426C16FB2/8-SP 8GB
Samsung M471A1A43DB0-CPB 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Corsair CMW64GX4M4C3466C16 16GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Kingston 9905663-021.A00G 16GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FD1 16GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Kingston 9905599-029.A00G 4GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link