RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZSW 16GB
Porównaj
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB vs G Skill Intl F4-3200C14-16GTZSW 16GB
Wynik ogólny
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZSW 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZSW 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
20.6
12.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
16.7
9.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZSW 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
26
26
Prędkość odczytu, GB/s
12.8
20.6
Prędkość zapisu, GB/s
9.0
16.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2143
4084
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB Porównanie pamięci RAM
Micron Technology 9JSF25672AZ-1G6M1 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZSW 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
AMD AE34G2139U2 4GB
Samsung M391A2K43BB1-CTD 16GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FE 4GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Transcend Information TS1GLH72V1H 8GB
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G1A1 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.M8FA 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Essencore Limited KD48GS88C-32N2200 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G6672 2GB
Kingston 9905665-009.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT325U6BFR8C
Lexar Co Limited LD4AS008G-H2666GST 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C
Kingston HP26D4S9S8HJ-8 8GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
EVGA 16G-D4-2400-MR 8GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSC.16FBR 16GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Corsair CMR16GX4M2C3000C16 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Kingston 9905663-021.A00G 16GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO102408-2400 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link