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Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTZNB 8GB
Compara
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB vs G Skill Intl F4-3600C14-8GTZNB 8GB
Puntuación global
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-3600C14-8GTZNB 8GB
Diferencias
Especificaciones
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Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
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Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-3600C14-8GTZNB 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
22
26
En -18% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
19.6
12.8
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
17.3
9.0
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
10600
En 1.6 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTZNB 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
26
22
Velocidad de lectura, GB/s
12.8
19.6
Velocidad de escritura, GB/s
9.0
17.3
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
17000
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2143
3879
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Micron Technology 9JSF25672AZ-1G6M1 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTZNB 8GB Comparaciones de la memoria RAM
PNY Electronics PNY 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTZNB 8GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Micron Technology 72ASS8G72LZ-2G3B2 64GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3B1 4GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-VK 16GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Kingston KHYXPX-HYJ 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Apacer Technology 78.CAGQE.C750B 8GB
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
SK Hynix HMA82GS6AFR8N-UH 16GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Kingston KHX2666C16D4/4G 4GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Kingmax Semiconductor GLAF62F-D8---------- 4GB
EVGA 16G-D3-1600-MR 8GB
SK Hynix HMA451S6AFR8N-TF 4GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Corsair CMW128GX4M4D3600C18 32GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G6E1 16GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FRS 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Gowe Technology Co. Ltd. GSA16G4SCL196P-26 16GB
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