RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTZNB 8GB
Comparez
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB vs G Skill Intl F4-3600C14-8GTZNB 8GB
Note globale
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Note globale
G Skill Intl F4-3600C14-8GTZNB 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
G Skill Intl F4-3600C14-8GTZNB 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
22
26
Autour de -18% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
19.6
12.8
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
17.3
9.0
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
10600
Autour de 1.6 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTZNB 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
26
22
Vitesse de lecture, GB/s
12.8
19.6
Vitesse d'écriture, GB/s
9.0
17.3
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
17000
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2143
3879
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB Comparaison des RAM
Micron Technology 9JSF25672AZ-1G6M1 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTZNB 8GB Comparaison des RAM
PNY Electronics PNY 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FBR2 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTZNB 8GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
Corsair CMD8GX4M2B3866C18 4GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Kingston 9905624-033.A00G 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Corsair CMK64GX4M8Z2933C16 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Corsair CMW128GX4M4D3600C18 32GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636181DC 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Kingston 99U5712-002.A00G 16GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GVK 32GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
Samsung M378A1K43BB2-CTD 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.M16FB 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4600C 16GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Apacer Technology 78.CAGN4.4020B 8GB
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FD1 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link