RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2666C1XMP 8GB
Compara
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB vs Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2666C1XMP 8GB
Puntuación global
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Puntuación global
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2666C1XMP 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
4
14.5
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2666C1XMP 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
71
74
En -4% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
8.0
2,201.1
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
6400
En 3.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2666C1XMP 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
74
71
Velocidad de lectura, GB/s
4,178.4
14.5
Velocidad de escritura, GB/s
2,201.1
8.0
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
21300
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
508
1863
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
Corsair CMD8GX4M2B4000C19 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2666C1XMP 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FBD2 4GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Avexir Technologies Corporation T-20181206 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Corsair CMW16GX4M2C3466C16 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0832160B 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Corsair CMK16GX4M4B3000C15 4GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
SpecTek Incorporated 16G2666CL19 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Corsair CMK16GX4M4B3866C18 4GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C4FE 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Apacer Technology 78.DAGRL.4050C 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Kingston MSI24D4S7S7MH-16 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZKY 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.M16FB 8GB
Kingston 99U5471-025.A00LF 4GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB528528266
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Kingston 99U5458-001.A00LF 2GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link