RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2666C1XMP 8GB
Porównaj
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB vs Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2666C1XMP 8GB
Wynik ogólny
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Wynik ogólny
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2666C1XMP 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
14.5
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2666C1XMP 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
71
74
Wokół strony -4% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.0
2,201.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
6400
Wokół strony 3.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2666C1XMP 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
74
71
Prędkość odczytu, GB/s
4,178.4
14.5
Prędkość zapisu, GB/s
2,201.1
8.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
21300
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
508
1863
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
Corsair CMD8GX4M2B4000C19 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2666C1XMP 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
G Skill Intl F4-4500C19-8GTZSWE 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Samsung M471A2K43CB1-CRCR 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H2666G 16GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240082 4GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
V-Color Technology Inc. TA48G30S815G 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Kingston CBD26D4S9S8ME-8 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Avant Technology J642GU42J5213N4 16GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FAR2 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingmax Semiconductor GZNG43F-18---------- 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C8FE 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266 16GB
Mushkin 991586 2GB
Corsair CM4X4GD3000C15K4 4GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Samsung M471A2K43CB1-CRCR 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FB 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link