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Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3E1 16GB
Compara
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB vs Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3E1 16GB
Puntuación global
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Puntuación global
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3E1 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
3
13.3
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3E1 16GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
42
73
En -74% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
9.0
1,423.3
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
5300
En 3.62 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3E1 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
73
42
Velocidad de lectura, GB/s
3,510.5
13.3
Velocidad de escritura, GB/s
1,423.3
9.0
Ancho de banda de la memoria, mbps
5300
19200
Other
Descripción
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
476
2427
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M4 70T2864EH3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRB 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3E1 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
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PNY Electronics PNY 2GB
Panram International Corporation W4U2133PS-8G 8GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FDD2 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
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Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FADG 4GB
SK Hynix HMT451U6BFR8A-PB 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZA 16GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Kingston HP37D4U1S8ME-16X 16GB
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Kingston K531R8-MIN 4GB
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Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-3G2J1 4GB
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