RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3E1 16GB
Сравнить
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB против Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3E1 16GB
-->
Средняя оценка
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Средняя оценка
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3E1 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
13.3
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3E1 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
42
73
Около -74% меньшая задержка
Выше скорость записи
9.0
1,423.3
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
5300
Около 3.62 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3E1 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
73
42
Скорость чтения, Гб/сек
3,510.5
13.3
Скорость записи, Гб/сек
1,423.3
9.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
19200
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
476
2427
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB Сравнения RAM
Samsung M4 70T2864EH3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRB 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3E1 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FBR 16GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3E1 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Samsung M474A2K43BB1-CPB 16GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Team Group Inc. TEANGROUP-UD4-2400 8GB
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Kingmax Semiconductor GLLF62F-C6---------- 4GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.M16FB 8GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Boya Microelectronics Inc. AM52SE22G64AP-RQ 16GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
A-DATA Technology DDR4 3300 2OZ 4GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Kingston HP24D4R7D4MAM-32 32GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3200 8GB
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Apacer Technology 78.C1GS7.AUC0B 8GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Crucial Technology C 8GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Essencore Limited IM48GU88N26-GIIHMB 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Corsair CMW32GX4M4C3000C15 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link