RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2400E 8GB
Compara
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB vs Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2400E 8GB
Puntuación global
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Puntuación global
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2400E 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
3
17.2
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2400E 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
23
69
En -200% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
13.0
1,441.2
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
5300
En 3.62 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2400E 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
69
23
Velocidad de lectura, GB/s
3,325.1
17.2
Velocidad de escritura, GB/s
1,441.2
13.0
Ancho de banda de la memoria, mbps
5300
19200
Other
Descripción
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
525
3004
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-3C 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2400E 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2400E 8G
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Avant Technology W6451U66J5213ND 4GB
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FBR1 8GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GVB 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FE 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Corsair CMK128GX4M4A2666C16 32GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
Corsair CMR32GX4M2A2666C16 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Kllisre D4 8G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Transcend Information AQD-SD4U8GE21-SG 8GB
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Samsung M393A5143DB0-CPB 4GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTZN 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSB.16FBR 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.M16FA 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6E1 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link