RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2400E 8GB
Porównaj
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB vs Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2400E 8GB
Wynik ogólny
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Wynik ogólny
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2400E 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
17.2
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2400E 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
23
69
Wokół strony -200% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.0
1,441.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
5300
Wokół strony 3.62 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2400E 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
69
23
Prędkość odczytu, GB/s
3,325.1
17.2
Prędkość zapisu, GB/s
1,441.2
13.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
19200
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
525
3004
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-3C 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2400E 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
G Skill Intl F4-2666C18-16GRS 16GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2400E 8G
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Corsair CM4X8GE2400C15K4 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
G Skill Intl F4-2400C17-8GSXW 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology AO1P21FC8T1-BSKS 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVS 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Corsair CM4X8GF2400Z16K4 8GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Kingston KF3600C16D4/16GX 16GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Kingston 9905701-003.A00G 16GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FAR2 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GVK 8GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GTZ 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-32GTZN 32GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GTZ 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link