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Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 4GB CL16 4GB
Compara
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB vs Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 4GB CL16 4GB
Puntuación global
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Puntuación global
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 4GB CL16 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
3
15.6
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 4GB CL16 4GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
26
68
En -162% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
11.6
1,702.6
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
5300
En 3.62 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 4GB CL16 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
68
26
Velocidad de lectura, GB/s
3,886.6
15.6
Velocidad de escritura, GB/s
1,702.6
11.6
Ancho de banda de la memoria, mbps
5300
19200
Other
Descripción
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 18
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
654
2808
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB Comparaciones de la memoria RAM
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 4GB CL16 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 4GB CL16 4GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Avant Technology W641GU42J9266NC 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Kingston 9965600-005.A00G 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
SK Hynix GKE160UD102408-2400 16GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4000 C19 Series 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
SK Hynix HMA451S6AFR8N-TF 4GB
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Corsair CM4X8GE2400C16K4 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FBD 8GB
Kingston HX318C10FK/4 4GB
G Skill Intl F4-3400C16-4GRBD 4GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C16 Series 4GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Crucial Technology BLS4G4S26BFSD.8FBD2 4GB
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVS 8GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Kingston 9905622-025.A00G 4GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Corsair CMK16GX4M4A2133C13 4GB
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