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Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 4GB CL16 4GB
Confronto
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB vs Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 4GB CL16 4GB
Punteggio complessivo
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Punteggio complessivo
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 4GB CL16 4GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
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Velocità di lettura più elevata, GB/s
3
15.6
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 4GB CL16 4GB
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
26
68
Intorno -162% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
11.6
1,702.6
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
5300
Intorno 3.62 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 4GB CL16 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
68
26
Velocità di lettura, GB/s
3,886.6
15.6
Velocità di scrittura, GB/s
1,702.6
11.6
Larghezza di banda della memoria, mbps
5300
19200
Other
Descrizione
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 18
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
654
2808
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB Confronto tra le RAM
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 4GB CL16 4GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Crucial Technology BLE8G4D40BEEAK.M8FE1 8GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FADP 4GB
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
SK Hynix HMA851S6DJR6N-VK 4GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Apacer Technology GD2.1831WS.002 16GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3A1 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Essencore Limited 8GBF1X08QFHH38-135-K 8GB
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