RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Kingston 99U5702-025.A00G 8GB
Compara
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB vs Kingston 99U5702-025.A00G 8GB
Puntuación global
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Puntuación global
Kingston 99U5702-025.A00G 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Informar de un error
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
25600
21300
En 1.2% mayor ancho de banda
Razones a tener en cuenta
Kingston 99U5702-025.A00G 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
23
38
En -65% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
17.7
15.5
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
13.1
12.0
Valor medio en las pruebas
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Kingston 99U5702-025.A00G 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR4
DDR4
Latencia en PassMark, ns
38
23
Velocidad de lectura, GB/s
15.5
17.7
Velocidad de escritura, GB/s
12.0
13.1
Ancho de banda de la memoria, mbps
25600
21300
Other
Descripción
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2283
3057
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 99U5702-025.A00G 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Corsair CM4X8GD3000C16K4D 8GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Heoriady M378A1K43BB2-CTD 8GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Transcend Information JM2666HSB-16G 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CMK32GX4M4A2666C16 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Samsung M378A1K43DB2-CTD 8GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48HD1-29Y 16GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Apacer Technology GD2.1527WH.002 8GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FBD2 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Corsair CM4B8G1L2666A18S4 8GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZ 16GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Corsair CMK32GX4M2D3600C16 16GB
AMD AE34G2139U2 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4000 C16 Series 8GB
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1AV 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link