RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Kingston 99U5702-025.A00G 8GB
Porównaj
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB vs Kingston 99U5702-025.A00G 8GB
Wynik ogólny
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Wynik ogólny
Kingston 99U5702-025.A00G 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
21300
Wokół strony 1.2% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
Kingston 99U5702-025.A00G 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
23
38
Wokół strony -65% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.7
15.5
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.1
12.0
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Kingston 99U5702-025.A00G 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
38
23
Prędkość odczytu, GB/s
15.5
17.7
Prędkość zapisu, GB/s
12.0
13.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
25600
21300
Other
Opis
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2283
3057
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 99U5702-025.A00G 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Kingston 99U5702-025.A00G 8GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Corsair CMK32GX4M2D3600C16 16GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FDD 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology BL8G32C16U4R.M8FE 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FBR 16GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Kingmax Semiconductor GLLH22F-18KCGA------ 16GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Corsair CMK16GX4M2C3333C16 8GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Corsair CMD64GX4M4C3200C16 16GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Samsung M471A2K43CB1-CTCT 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS632A.M4FE 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Kingston KHX3000C16D4/32GX 32GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD832A.M16FR 16GB
Kingston ACR16D3LS1KBG/8G 8GB
Gloway International (HK) STK4U2400D15082C 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link