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Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FDD2 4GB
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Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB vs Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FDD2 4GB
Puntuación global
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Puntuación global
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FDD2 4GB
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Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
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Razones a tener en cuenta
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FDD2 4GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
29
45
En -55% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
16
11.9
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
10.3
8.1
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
12800
En 1.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FDD2 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
45
29
Velocidad de lectura, GB/s
11.9
16.0
Velocidad de escritura, GB/s
8.1
10.3
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
17000
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2077
2384
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Avant Technology J644GU44J2320NQ 32GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Ramaxel Technology RMUA5120MB86H9F2400 4GB
Corsair CMX8GX3M2A1600C11 4GB
Zotac Technology Ltd OD48G32S816-ZHC 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Kingston 9905678-043.A00G 8GB
Kingmax Semiconductor FLFF65F-D8KQ9 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GNS 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXKB 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Asgard VMA45UH-MEC1U2AW2 16GB
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