RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17082C 8GB
Compara
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB vs Gloway International (HK) STK4U2400D17082C 8GB
Puntuación global
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Puntuación global
Gloway International (HK) STK4U2400D17082C 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
47
74
En 36% menor latencia
Razones a tener en cuenta
Gloway International (HK) STK4U2400D17082C 8GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
14.3
9.3
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
7.7
5.9
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
10600
En 1.81 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17082C 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
47
74
Velocidad de lectura, GB/s
9.3
14.3
Velocidad de escritura, GB/s
5.9
7.7
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
19200
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1413
1779
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Kingston TSB16D3LS1KBG/4G 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.M16FRS 16GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17082C 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Kingston KVR533D2N4 512MB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FBD1 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GVKA 16GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17082C 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Micron Technology 9ASF51272AZ-2G3B1 4GB
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
Samsung M474A1G43EB1-CRC 8GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FBR 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Kingston 9965589-026.D00G 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
A-DATA Technology DDR4 2800 2OZ 4GB
Kingston 99U5315-023.A00LF 512MB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2666C1XMP 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Kingston 9905734-059.A00G 16GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Micron Technology 72ASS8G72LZ-2G6D2 64GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FN 8GB
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FBR 16GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FD2 4GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link