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Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB5285282666 4GB
Compara
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB vs Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB5285282666 4GB
Puntuación global
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Puntuación global
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB5285282666 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
40
74
En 46% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
8.9
7.7
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB5285282666 4GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
13.6
12.3
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
12800
En 1.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB5285282666 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
40
74
Velocidad de lectura, GB/s
12.3
13.6
Velocidad de escritura, GB/s
8.9
7.7
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
21300
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1789
1616
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB Comparaciones de la memoria RAM
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Samsung M378B1G73DB0-CK0 8GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB5285282666 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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