RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB5285282666 4GB
Confronto
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB vs Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB5285282666 4GB
Punteggio complessivo
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Punteggio complessivo
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB5285282666 4GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
40
74
Intorno 46% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
8.9
7.7
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB5285282666 4GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
13.6
12.3
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
12800
Intorno 1.66 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB5285282666 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
40
74
Velocità di lettura, GB/s
12.3
13.6
Velocità di scrittura, GB/s
8.9
7.7
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
21300
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1789
1616
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB Confronto tra le RAM
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Samsung M378B1G73DB0-CK0 8GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB5285282666 4GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
V-Color Technology Inc. TL48G36S8KBNRGB18 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Good Wealth Technology Ltd. 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FE 8GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Kingston 9905598-040.A00G 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Apacer Technology 78.CAGR9.40C0B 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GFX 8GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
G Skill Intl F4-4400C18-8GTZR 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Kingston 9905734-073.A00G 16GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Kingston 9905625-036.A00G 16GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Crucial Technology CT32G4SFD832A.M16FF 32GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Corsair CMV16GX4M1L2400C16 16GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH3 8GB
Kingston 9965516-430.A00G 16GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GVK 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Ramsta Ramsta-2666MHz-4G 4GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link