RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3000D464L16S/8G 8GB
Compara
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB vs Wilk Elektronik S.A. IRX3000D464L16S/8G 8GB
Puntuación global
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Puntuación global
Wilk Elektronik S.A. IRX3000D464L16S/8G 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
Wilk Elektronik S.A. IRX3000D464L16S/8G 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
28
30
En -7% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
18.2
10.6
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
13.6
6.8
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
8500
En 2.51 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3000D464L16S/8G 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
30
28
Velocidad de lectura, GB/s
10.6
18.2
Velocidad de escritura, GB/s
6.8
13.6
Ancho de banda de la memoria, mbps
8500
21300
Other
Descripción
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1066 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1479
3143
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT112U6TFR8C-H9 1GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3000D464L16S/8G 8GB Comparaciones de la memoria RAM
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3000D464L16S/8G 8GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZKO 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Crucial Technology BLE4G4D32AEEA.K8FE 4GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Corsair CMW32GX4M4Z3200C16 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Ramaxel Technology RMUA5180ME78HBF-2666 16GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Corsair CMT16GX4M2C3466C16 8GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FBD2 4GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
AMD R744G2606U1S 4GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Crucial Technology CT32G4DFD8266.M16FB 32GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Kllisre M471A1K43CB1-CTD 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240081 4GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Team Group Inc. DDR4 2666 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GTRG 16GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GTRG 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link