RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3000D464L16S/8G 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB vs Wilk Elektronik S.A. IRX3000D464L16S/8G 8GB
Gesamtnote
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Gesamtnote
Wilk Elektronik S.A. IRX3000D464L16S/8G 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Wilk Elektronik S.A. IRX3000D464L16S/8G 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
28
30
Rund um -7% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
18.2
10.6
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
13.6
6.8
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
8500
Rund um 2.51 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3000D464L16S/8G 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
30
28
Lesegeschwindigkeit, GB/s
10.6
18.2
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
6.8
13.6
Speicherbandbreite, mbps
8500
21300
Other
Beschreibung
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1066 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1479
3143
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB RAM-Vergleiche
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT112U6TFR8C-H9 1GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3000D464L16S/8G 8GB RAM-Vergleiche
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Kingston KHX3600C18D4/16GX 16GB
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Kingston KHX3333C16D4/16GX 16GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
G Skill Intl F4-2666C19-16GRS 16GB
SK Hynix HMT451S6DFR8A-PB 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FE 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
G Skill Intl F4-2133C15-8GRS 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Crucial Technology BL32G32C16U4W.M16FB1 32GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
G Skill Intl F4-4000C19-8GTZKW 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Kingston 9905713-004.A00G 4GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Corsair CMT32GX4M2C3200C16 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GVS 8GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-WM 8GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Kingston 9905625-142.A00G 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Samsung M378A2K43CB1-CTD 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link