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Samsung M471B5673FH0-CH9 2GB
Micron Technology 9ASF1G72AZ-2G3B1 8GB
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Samsung M471B5673FH0-CH9 2GB vs Micron Technology 9ASF1G72AZ-2G3B1 8GB
Puntuación global
Samsung M471B5673FH0-CH9 2GB
Puntuación global
Micron Technology 9ASF1G72AZ-2G3B1 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M471B5673FH0-CH9 2GB
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Mayor velocidad de escritura, GB/s
8.2
6.8
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Micron Technology 9ASF1G72AZ-2G3B1 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
22
41
En -86% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
15
11.1
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
10600
En 1.81 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M471B5673FH0-CH9 2GB
Micron Technology 9ASF1G72AZ-2G3B1 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
41
22
Velocidad de lectura, GB/s
11.1
15.0
Velocidad de escritura, GB/s
8.2
6.8
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
19200
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1348
2272
Samsung M471B5673FH0-CH9 2GB Comparaciones de la memoria RAM
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Micron Technology 9ASF1G72AZ-2G3B1 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Corsair CMK32GX4M4Z2933C16 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston LV32D4U2S8ME-16X 16GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3E2 8GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.M16FG 8GB
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