RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5673FH0-CH9 2GB
Micron Technology 9ASF1G72AZ-2G3B1 8GB
Сравнить
Samsung M471B5673FH0-CH9 2GB против Micron Technology 9ASF1G72AZ-2G3B1 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M471B5673FH0-CH9 2GB
Средняя оценка
Micron Technology 9ASF1G72AZ-2G3B1 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M471B5673FH0-CH9 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость записи
8.2
6.8
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Micron Technology 9ASF1G72AZ-2G3B1 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
22
41
Около -86% меньшая задержка
Выше скорость чтения
15
11.1
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
10600
Около 1.81 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M471B5673FH0-CH9 2GB
Micron Technology 9ASF1G72AZ-2G3B1 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
41
22
Скорость чтения, Гб/сек
11.1
15.0
Скорость записи, Гб/сек
8.2
6.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
19200
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1348
2272
Samsung M471B5673FH0-CH9 2GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS8G3N169ES4.16FE 8GB
Elpida EBJ21UE8BFU0-DJ-F 2GB
Micron Technology 9ASF1G72AZ-2G3B1 8GB Сравнения RAM
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Kingston MSI24D4S7D8MB-8 8GB
Samsung M471B5673FH0-CH9 2GB
Micron Technology 9ASF1G72AZ-2G3B1 8GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GSQ 8GB
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
Kingston 9905712-034.A00G 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Kingston 9905678-006.A00G 4GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Crucial Technology BL16G26C16U4B.16FD 16GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FAD 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Corsair CMD16GX4M2B3733C17 8GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Samsung M378A5244CB0-CWE 4GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Wilk Elektronik S.A. GX2426D464S/8GSBS2 8GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Corsair CMK8GX4M2B3000C15 4GB
Corsair CMX8GX3M2A2000C9 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C16 Series 4GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Samsung M391A1G43EB1-CRC 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link