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SK Hynix HMT351S6BFR8C-H9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8C-H9 8GB
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SK Hynix HMT351S6BFR8C-H9 4GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8C-H9 8GB
Puntuación global
SK Hynix HMT351S6BFR8C-H9 4GB
Puntuación global
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8C-H9 8GB
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Razones a tener en cuenta
SK Hynix HMT351S6BFR8C-H9 4GB
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Razones a tener en cuenta
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8C-H9 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
29
49
En -69% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
12
8.2
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
8.1
5.2
Valor medio en las pruebas
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
SK Hynix HMT351S6BFR8C-H9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8C-H9 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR3
Latencia en PassMark, ns
49
29
Velocidad de lectura, GB/s
8.2
12.0
Velocidad de escritura, GB/s
5.2
8.1
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
10600
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
7-7-7-20 / 1333 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1223
2171
SK Hynix HMT351S6BFR8C-H9 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C16FG 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 C16 8GB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8C-H9 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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