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SK Hynix HMT351S6BFR8C-H9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8C-H9 8GB
Comparez
SK Hynix HMT351S6BFR8C-H9 4GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8C-H9 8GB
Note globale
SK Hynix HMT351S6BFR8C-H9 4GB
Note globale
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8C-H9 8GB
Différences
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Raisons de considérer
SK Hynix HMT351S6BFR8C-H9 4GB
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Raisons de considérer
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8C-H9 8GB
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En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
29
49
Autour de -69% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
12
8.2
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
8.1
5.2
Valeur moyenne dans les tests
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
SK Hynix HMT351S6BFR8C-H9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8C-H9 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR3
Latence dans PassMark, ns
49
29
Vitesse de lecture, GB/s
8.2
12.0
Vitesse d'écriture, GB/s
5.2
8.1
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
10600
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
7-7-7-20 / 1333 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1223
2171
SK Hynix HMT351S6BFR8C-H9 4GB Comparaison des RAM
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Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 C16 8GB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8C-H9 8GB Comparaison des RAM
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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