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SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4S816GB2G82G83200 16GB
Compara
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB vs OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4S816GB2G82G83200 16GB
Puntuación global
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Puntuación global
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4S816GB2G82G83200 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
2
17.4
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
2,978.2
14.5
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4S816GB2G82G83200 16GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
27
66
En -144% menor latencia
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
25600
6400
En 4 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4S816GB2G82G83200 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
66
27
Velocidad de lectura, GB/s
2,929.1
17.4
Velocidad de escritura, GB/s
2,978.2
14.5
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
25600
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
511
3692
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB Comparaciones de la memoria RAM
OCZ OCZ2SOE800URB1G 1GB
Kingston 9905295-025.B00LF 1GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4S816GB2G82G83200 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4S816GB2G82G83200 16GB
Kingston 9905458-017.A00LF 4GB
Kingston 9905458-017.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston 9905701-021.A00G 16GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-4000C14-8GTZR 8GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3B1 32GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1AV 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR8N
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
Corsair CMW32GX4M2Z3600C18 16GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FJ 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FD 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
G Skill Intl F4-2400C14-4GRK 4GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2133 CL15 4GB 4GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
G Skill Intl F4-4400C19-8GTZKK 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Kingston KHX2666C16D4/4G 4GB
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