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SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4S816GB2G82G83200 16GB
Comparez
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB vs OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4S816GB2G82G83200 16GB
Note globale
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Note globale
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4S816GB2G82G83200 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
2
17.4
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
2,978.2
14.5
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4S816GB2G82G83200 16GB
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En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
27
66
Autour de -144% latence réduite
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
25600
6400
Autour de 4 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4S816GB2G82G83200 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
66
27
Vitesse de lecture, GB/s
2,929.1
17.4
Vitesse d'écriture, GB/s
2,978.2
14.5
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
25600
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
511
3692
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB Comparaison des RAM
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
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G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FN 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Samsung M393A4K40CB2-CTD 32GB
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