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SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Samsung M391A1K43BB2-CTD 8GB
Compara
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB vs Samsung M391A1K43BB2-CTD 8GB
Puntuación global
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Puntuación global
Samsung M391A1K43BB2-CTD 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
59
64
En 8% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
4
17.5
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Samsung M391A1K43BB2-CTD 8GB
Informar de un error
Mayor velocidad de escritura, GB/s
9.3
2,076.1
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
6400
En 3.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Samsung M391A1K43BB2-CTD 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
59
64
Velocidad de lectura, GB/s
4,723.5
17.5
Velocidad de escritura, GB/s
2,076.1
9.3
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
21300
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
741
2205
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB Comparaciones de la memoria RAM
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Samsung M391A1K43BB2-CTD 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-2400C17-4GIS 4GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
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A-DATA Technology AX4S2800316G18-B 16GB
Shenzen Recadata Storage Technology 8GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
G Skill Intl F4-2800C16-8GRR 8GB
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