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SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Samsung M391A1K43BB2-CTD 8GB
比较
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB vs Samsung M391A1K43BB2-CTD 8GB
总分
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
总分
Samsung M391A1K43BB2-CTD 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
59
64
左右 8% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
4
17.5
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Samsung M391A1K43BB2-CTD 8GB
报告一个错误
更快的写入速度,GB/s
9.3
2,076.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
6400
左右 3.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Samsung M391A1K43BB2-CTD 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
59
64
读取速度,GB/s
4,723.5
17.5
写入速度,GB/s
2,076.1
9.3
内存带宽,mbps
6400
21300
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
741
2205
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB RAM的比较
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STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
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Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3200C14-16GFX 16GB
Kingston 9965516-430.A00G 16GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.M16FR 16GB
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Kingston 9905702-400.A00G 8GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Corsair CMT128GX4M8X3600C18 16GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3466C16-4GTZ 4GB
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