RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZA 8GB
Compara
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB vs G Skill Intl F4-4266C19-8GTZA 8GB
Puntuación global
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZA 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
3
18
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZA 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
28
63
En -125% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
15.2
1,447.3
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
5300
En 3.21 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZA 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
63
28
Velocidad de lectura, GB/s
3,231.0
18.0
Velocidad de escritura, GB/s
1,447.3
15.2
Ancho de banda de la memoria, mbps
5300
17000
Other
Descripción
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
478
3660
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB Comparaciones de la memoria RAM
Apacer Technology 78.01GA0.AF5 1GB
Team Group Inc. Xtreem-D2-667 1GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZA 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Corsair CM4X8GF2400C16K4 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FBR2 4GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZA 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Kingston KHX2666C15/16GX 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
A-DATA Technology AX4S2800316G18-B 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FH 8GB
Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB
Kingston KHX3000C16/16GX 16GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Kingmax Semiconductor GLLG42F-18---------- 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Hyundai Inc AR32C16S8K2SU416R 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Corsair CMR16GX4M2D3000C16 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Samsung M471A2K43CB1-CRCR 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Kingston EBJ81UG8BBW0-GN-F 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMD64GX4M4B3333C16 16GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Kingston MSISID4S9S8ME-8 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link