RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2E1 16GB
Compara
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB vs Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2E1 16GB
Puntuación global
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Puntuación global
Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2E1 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
3
16.7
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2E1 16GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
35
63
En -80% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
15.1
1,447.3
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
25600
5300
En 4.83 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2E1 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
63
35
Velocidad de lectura, GB/s
3,231.0
16.7
Velocidad de escritura, GB/s
1,447.3
15.1
Ancho de banda de la memoria, mbps
5300
25600
Other
Descripción
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 667 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
478
3191
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB Comparaciones de la memoria RAM
Apacer Technology 78.01GA0.AF5 1GB
Team Group Inc. Xtreem-D2-667 1GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2E1 16GB Comparaciones de la memoria RAM
PNY Electronics PNY 2GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Samsung M474A2K43BB1-CRC 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2E1 16GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
Ramaxel Technology RMSA3260MB78HAF2400 8GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Kingston ACR24D4S7S8MB-8 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2E1 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Corsair CMT64GX4M2C3600C18 32GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZ 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FBD2 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Corsair CMT16GX4M2K4266C19 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Wilk Elektronik S.A. GY2133D464L15/8G 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-4266C19-32GTZR 32GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Apacer Technology 78.CAGNK.4040B 8GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Ramaxel Technology RMSA3270MB86H9F2400 4GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4400G 16GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link